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1.一种可稳定辐射远红外线的远红外半导体材料,其特征在于,包括如下重量份数的组分:半导体陶瓷粉10~70份莫来石粉10~60份高铝粉10~50份尖晶石粉10~40份银粉5~20份铜粉5~20份粘合剂1~10份。2.如权利要求1所述的可稳定辐射远红外线的远红外半导体材料,其特征在于,包括如下重量份数的组分:半导体陶瓷粉20~60份莫来石粉30~50份高铝粉20~40份尖晶石粉20~30份银粉5~15份铜粉5~15份粘合剂3~8份。3.如权利要求1所述的可稳定辐射远红外线的远红外半导体材料,其特征在于,包括如下重量份数的组分:半导体陶瓷粉40份莫来石粉35份高铝粉30份尖晶石粉25份银粉5份铜粉5份粘合剂6份。4.如权利要求1或2所述的可稳定辐射远红外线的远红外半导体材料,其特征在于,粘合剂为水玻璃、甲基纤维素、羧丙基甲基纤维素或聚乙烯醇中的一种。5.如权利要求1所述的可稳定辐射远红外线的远红外半导体材料,其特征在于,各粉体组分粒径均≤200目。6.如权利要求1所述的可稳定辐射远红外线的远红外半导体材料,其特征在于,半导体材料在通电下辐射远红外线所述的可稳定辐射远红外线的远红外半导体材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)各组分按比例混合,搅拌均匀得混合料;(2)将混合料置于模具中,压铸成型即得成品型材。8.如权利要求7所述的可稳定辐射远红外线的远红外半导体材料的制备方法,其特征在于,成品型材为条形、正方形、圆形或多孔形。
技术总结本发明涉及半导体材料技术领域,具体涉及一种可稳定辐射远红外线的远红外半导体材料及制备方法,半导体材料包括如下重量份数的组分:半导体陶瓷粉10~70份,莫来石粉10~60份,高铝粉10~50份,尖晶石粉10~40份,银粉5~20份,铜粉5~20份,粘合剂1~10份。本发明通过各组分按比例混合,搅拌均匀得混合料,然后将混合料置于模具中,压铸成型所得。本发明以半导体陶瓷粉成分中无机氧化物,及莫来石粉、高铝粉、尖晶石粉中金属氧化物形成半导体材料基体,掺杂少量银、铜,并通过调节组分比例,提高通电下的辐射频率稳定性;本发明制备方法简单易操作,通过模具压铸成型制作形状不同的成品,适用范围广。适用范围广。技术研发人员:
HASHKFK