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发布日期:2025-06-21 10:19 浏览次数:

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  2、体材料及其制备 方法和应用 (57)摘要 本发明提供一种近红外固态发光半导体材 料, 分子式为(Me)2-DABCO2M5Pb2I13(M为Cu、 Ag 其中的一种或两种), 属于单斜晶系, C2/c空间 群, 晶胞参数 90 ,105.3290(10)105.3370 (10) ,本发明制 备工艺简单, 价格低廉, 在低温下荧光强度与温 度成线性关系, 灵敏度高, 具有荧光温度传感效 应, 可以作为生物体内的近红外荧光温度传感材 料。 权利要求书1页 说明书4页 附图5页 CN 109879880 A 2019.06.14 CN 109879880 A 1.一种近红外固态发光半导体材料, 其。

  4、接形成三维超分子结构。 3.根据权利要求1所述的近红外固态发光半导体材料, 其特征在于: (Me)2-DABCO 2M5Pb2I13在波长为406422nm的紫光激发下, 发射波长在753801nm范围内的近红外光。 4.如权利要求1-3任一所述的近红外固态发光半导体材料的制备方法, 其特征在于: 采 用溶剂热反应合成, 以DABCO、 MI、 PbI2作为反应原料, 加入到N,N-二甲基甲酰胺、 氢碘酸和 甲醇的混合溶剂中得混合液, 将混合液装入聚四氟乙烯内胆, 再密封于反应釜中, 将反应釜 置于干燥箱中升温反应, 反应后自然冷却至室温, 过滤混合液, 将过滤得到的浅黄色块用蒸 馏水洗涤, 。

  6、红外固态发光半导体材料的应用, 其特征在于: (Me)2- DABCO2M5Pb2I13作为近红外荧光温度传感材料, 应用于非接触式工作环境中的温度检测。 9.根据权利要求8所述的近红外固态发光半导体材料的应用, 其特征在于: M为Cu时, (Me)2-DABCO2Cu5Pb2I13的发光强度在80-180K范围内与温度呈线性变化; M为Ag时(Me)2- DABCO2Ag5Pb2I13的发光强度在80-140K范围内与温度呈线性变化。 权利要求书 1/1 页 2 CN 109879880 A 2 一种近红外固态发光半导体材料及其制备方法和应用 技术领域 0001 本发明属于材料制备技术领域,。

  7、 具体涉及一种近红外固态发光半导体材料及其制 备方法和应用。 背景技术 0002 发光材料在生活照明、 显示、 光通讯、 光开关、 成像、 传感、 生物标记及医学诊断等 领域具有重要的研究与应用价值。 发光材料按照发光寿命的长短可以分为荧光材料与磷光 材料, 根据能量转换的差异又可分为上转换材料与下转换材料。 目前应用较多的发光材料 主要是基于稀土金属的氧化物、 配合物等材料, 发光效率高、 稳定性高, 但是结构类型比较 单一, 性能调控难以实现。 相比于无机发光材料, 有机发光材料具有驱动电压低、 亮度高、 发 光效率高以及易实现大面积彩色显示等优点, 但是光量子产低、 寿命短以及稳定性差等。

  8、缺 陷却又限制了有机发光材料的商业化应用进程。 因此人们设想通过无机组分与有机组分进 行杂化的方式, 有机地结合无机与有机两种不同组分的功能性优势, 以期突破单一无机或 者有机发光材料性能方面的缺陷。 在此背景下, 有机-无机杂化发光材料引起了科学家和工 业界的研究兴趣和广泛关注。 0003 有机-无机杂化金属卤化物具有丰富的结构类型和半导体性能, 在光电材料领域 具有重要的应用价值。 特别是钙钛矿结构类型的ABX3型卤化物, 由于其特殊的共顶点连接 模式, 通过调节有机胺阳离子的电荷与空间构型, 可以有效调控钙钛矿结构为三维框架、 二 维层与一维链。 同时有机胺阳离子的空间构型对无机框架中八。

  9、面体结构单元的对称性具有 非常重要的调控作用, 进一步调节有机无机杂化材料的能带结构与光电性能。 有机-无机杂 化金属卤化物的光电性能主要决定于无机框架的结构与组成单元的变形程度, 变形程度越 高, 极化率越大, 光电活性越高。 因此调控有机-无机杂化金属卤化物光电性能的根本手段 在于调节无机结构单元的变形程度。 以往的研究往往通过引入不同的有机模板剂, 利用有 机模板剂的空间构型调控无机框架的结构与结构基元的变形特征, 而对于混金属卤化物的 研究一直是空白。 d10过渡金属配合物具有优异的发光性能, 在固态发光材料领域占有重要 的应用价值。 发明内容 0004 针对现有技术中稀土发光材料与有。

  11、I4四面体之间通过共用I原子连接构 成M5I11簇, M5I11簇之间通过PbI5结构单元连接形成M5Pb2I134-一维链, 有机阳离子(Me)2- DABCO2+填充在无机链之间, 并通过氢键连接形成三维超分子结构。 0008 本发明所述的近红外固态发光半导体材料的制备方法, 具体包括如下步骤: 0009 i)按照摩尔比为11.5:23:11.5的比例称量DABCO、 MI、 PbI2作为反应原料, 加入到45mLN,N-二甲基甲酰胺、 0.51mL氢碘酸和12mL甲醇的混合溶剂中, 将混合溶 液装入聚四氟乙烯内胆, 再密封于反应釜中, 其中, M为Cu、 Ag其中的一种或两种; 0010。

  14、以作为一种近红外荧光温度传感材料, 应用于生物体等非接 触式工作环境中的温度检测。 0015 本发明在单一金属卤化物的基础上, 引入d10过渡金属Cu、 Ag, 通过混合金属离子的 方法, 开发了一种具有近红外发光性能的有机无机混金属卤化物, 在低温区域具有优异的 荧光温度传感效应, 这是第一个具有近红外发光性能的有机-无机杂化金属卤化物固态发 光材料。 0016 本发明通过混合过渡金属Ag和Cu, 随着Ag: Cu的比例不同, 所制得的近红外固态发 光半导体材料406422nm的紫光激发下, 在室温下可以发射波长在753801nm范围内的近 红外光, 在室温300K下最大发射峰为801nm,。

  15、 最小发射峰为753nm, Stock位移达到347- 379nm, 半峰宽可达到215-247nm, , 发射峰可以在753801nm范围内连续变动, 为一种可调 谐的近红外固态发光材料。 0017 本发明与现有技术相比, 具有以下有益效果。 0018 本发明所提供的混金属卤化物近红外固态发光材料制备工艺简单, 价格低廉, 在 低温下荧光强度与温度成线性关系, 灵敏度高, 具有荧光温度传感效应, 可以作为生物体内 的近红外荧光温度传感材料。 说明书 2/4 页 4 CN 109879880 A 4 附图说明 0019 图1为混金属卤化物(Me)2-DABCO2M5Pb2I13的晶体结构图; 。

  22、Pb2I13的激发谱和发射谱; 其中 最大激发峰位置在422nm, 最大发射峰位置在801nm, 属于近红外光。 0041 图4为实施例1中混金属卤化物(Me)2-DABCO2Cu5Pb2I13在不同温度下的发射谱, 随着温度降低, 发射峰强度逐渐增加, 主要是由于随着温度降低, 热辐射减弱, 光跃迁比例 增加, 发射增强; 0042 图5为实施例2中混金属卤化物(Me)2-DABCO2Ag5Pb2I13在不同温度下的发射谱, 随着温度降低, 发射峰强度逐渐增加, 主要是由于随着温度降低, 热辐射减弱, 光跃迁比例 增加, 发射增强; 0043 图6为实施例1中混金属卤化物(Me)2-DABC。

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